Um único disparo de laser foi suficiente para alterar completamente a condução elétrica do óxido de titânio, tradicionalmente classificado como semicondutor do tipo n. A demonstração, realizada por pesquisadores do Departamento de Engenharia Elétrica e Ciência da Computação do Instituto de Ciência e Tecnologia Daegu Gyeongbuk (DGIST), na Coreia do Sul, foi divulgada em 27 de outubro de 2025.
Coordenada pelo professor Hyukjun Kwon, a equipe aplicou um feixe de laser de poucos segundos sobre um filme fino de titânio recoberto por óxido de alumínio. O procedimento, batizado de Laser Induced Oxidation and Doping Integration (LODI), promoveu a difusão de íons de alumínio e a oxidação do titânio, gerando lacunas (ausência de elétrons) que transformaram o material em semicondutor do tipo p.
Processos convencionais para essa conversão exigem várias etapas, altas temperaturas e câmaras de vácuo, podendo estender-se por horas. O método LODI reúne oxidação, dopagem e padronização em um único passo, reduzindo tempo e custos de fabricação.
Segundo Kwon, a técnica simplifica o uso do óxido de titânio — material estável, seguro e abundante — em circuitos eletrônicos que demandam tanto regiões tipo n quanto tipo p, abrindo caminho para dispositivos integrados mais avançados e confiáveis.
Imagem: Internet
A pesquisa foi publicada na revista Small sob o título “One-Step Laser-Induced Oxidation and Doping for Tailored p-Type Conversion of Al-Doped TiO₂”.
Com informações de Nanowerk
