Pesquisadores do Instituto Max Planck de Física de Microestrutura, na Alemanha, demonstraram que filmes magnéticos com menos de 4 nm de espessura preservam suas propriedades sem a habitual camada isolante de óxido de magnésio (MgO). O avanço elimina uma barreira de projeto para dispositivos de memória racetrack, possibilitando a integração direta das membranas a substratos funcionais ou flexíveis.
O estudo, conduzido pelo professor Stuart Parkin no Departamento NISE e publicado em Advanced Materials em 5 de novembro de 2025, utilizou uma camada sacrificial de Sr₃Al₂O₆ (SAO) durante a fabricação. Após o crescimento do empilhamento Platinum-Cobalt-Nickel-Cobalt (Pt/Co/Ni/Co), o SAO é dissolvido, liberando filmes autoportantes prontos para transferência para superfícies pré-padrão.
Sem o MgO, as membranas entram em contato elétrico e magnético direto com circuitos subjacentes e apresentaram mobilidade de parede de domínio maior que a observada em amostras com a camada isolante. Os pesquisadores também transferiram os filmes para eletrodos de platina pré-padrão, controlando localmente o comportamento das paredes de domínio, passo considerado crucial para arquiteturas computacionais baseadas em racetrack.
Testes de resistência indicaram que as membranas mantêm desempenho após flexão, tratamento térmico, estresse elétrico e exposição prolongada ao ar. Segundo o grupo, a técnica abre caminho para memórias spintrônicas de alta densidade, baixo consumo e potencial de integração com lógica em um único chip.
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Com informações de Nanowerk
