22 de janeiro de 2026 — Uma equipe internacional liderada pelo professor associado Kezilbeiek Shawulienu realizou, pela primeira vez, um isolante cristalino topológico bidimensional, material cuja existência era prevista há mais de dez anos, mas que permanecia fora do alcance devido a limitações de produção.
Os pesquisadores produziram uma película atômica de duas camadas de telureto de estanho (SnTe) sobre um substrato de disseleneto de nióbio (NbSe₂). O trabalho, descrito na revista Nature Communications, contou com a participação dos professores Peter Liljeroth e Jose Lado, da Universidade Aalto.
Como o material foi criado
A equipe utilizou epitaxia por feixe molecular para crescer as camadas de SnTe e microscopia de tunelamento por varredura em baixa temperatura para analisar as propriedades eletrônicas com resolução atômica. As medições revelaram pares de estados de borda condutores — assinatura de isolantes cristalinos topológicos — protegidos pela simetria da rede cristalina.
Papel da deformação mecânica
Foi observado que o filme de SnTe sofre compressão imposta pelo substrato, fator decisivo para estabilizar a fase topológica. Essa deformação também permite ajustar os estados de borda, indicando um caminho para controlar suas propriedades eletrônicas.
Lacuna eletrônica ampla e estabilidade térmica
Os estados de borda aparecem dentro de uma lacuna de banda superior a 0,2 eV. Cálculos quânticos de primeiros princípios confirmaram a origem topológica do fenômeno. Além disso, a interação entre estados de borda vizinhos gerou deslocamentos de energia decorrentes de efeitos eletrostáticos e tunelamento quântico. A ampla lacuna sugere que as características topológicas devem permanecer estáveis até a temperatura ambiente.
Imagem: Internet
Segundo os autores, o resultado cria uma nova plataforma para investigar estados topológicos bidimensionais controlados por deformação e pode abrir caminho para avanços em eletrônica de spin e dispositivos em escala nanométrica.
Com informações de Nanowerk
