26 de janeiro de 2026 – Uma equipe do Instituto Daegu Gyeongbuk de Ciência e Tecnologia (DGIST), liderada pelo professor Youngwook Kim, em parceria com o grupo do professor Gil Young Cho, da KAIST, demonstrou um princípio inédito de memória que permite gravar e apagar informações eletricamente usando camadas ultrafinas empilhadas, como o grafeno.
O trabalho, divulgado na revista Nature Communications sob o título “Ferroelectric switching of interfacial dipoles in α-RuCl3/graphene heterostructure”, mostra que basta sobrepor materiais não ferroelectricos para induzir propriedades de ferroelectricidade sem recorrer a processos complexos.
Como funciona o dispositivo
No protótipo, uma película isolante de nitreto de boro hexagonal (hBN) foi inserida como “recheio” entre uma folha de grafeno e α-RuCl3. Nesse arranjo, as cargas nos limites entre as camadas se reorganizam espontaneamente e formam dipolos elétricos capazes de armazenar dados. A escrita e a leitura ocorrem apenas por meio de sinais elétricos, dispensando campos magnéticos ou deformações estruturais.
Desempenho em temperaturas baixas
Segundo os autores, o dispositivo apresentou operação mais estável em torno de 30 K (-243 °C) e manteve as informações gravadas por mais de cinco meses mesmo sem alimentação, comprovando a não volatilidade do efeito.
Imagem: Internet
Aplicações potenciais
A descoberta abre caminho para componentes eletrônicos de ultrabaixo consumo e pode acelerar o desenvolvimento de memórias para computadores quânticos que operam em temperaturas criogênicas, além de futuros semicondutores de alta eficiência energética.
Com informações de Nanowerk
