03 de fevereiro de 2026 – Uma equipe do High Magnetic Field Laboratory (CHMFL) do Hefei Institutes of Physical Science, pertencente à Academia Chinesa de Ciências (CAS), em parceria com o State Key Laboratory of Semiconductor Physics and Chip Technologies do Institute of Semiconductors, também da CAS, identificou uma magnetorresistência oscilatória anômala em baixa intensidade de campo em uma heteroestrutura baseada em um semicondutor kagome antiferromagnético.
Os resultados, descritos na revista Advanced Functional Materials, conectam diretamente o fenômeno de transporte observado a texturas magnéticas topológicas registradas em imagens de microscopia de força magnética (MFM).
Como o estudo foi conduzido
Os cientistas construíram uma heteroestrutura FeSn/Pt. A quebra da simetria de inversão na interface possibilitou a introdução e o ajuste da interação de Dzyaloshinskii–Moriya, ferramenta crucial para controlar as configurações de spin na camada de FeSn.
Medições macroscópicas de transporte indicaram que amostras com espessura específica de FeSn exibem oscilações de magnetorresistência amortecidas em campos fracos. Esse comportamento difere claramente das oscilações de Shubnikov–de Haas, tradicionalmente observadas em campos elevados.
Imagem direta das texturas topológicas
A equipe utilizou um microscópio de força magnética desenvolvido internamente no Steady High Magnetic Field Facility (SHMFF) para visualizar, em temperaturas baixas e campos altos, diversas texturas magnéticas topológicas presentes na heteroestrutura. As imagens confirmaram a relação entre as estruturas de spin antiferromagnéticas e a resposta de magnetorresistência incomum.
Imagem: Internet
Segundo os autores, o trabalho aprofunda a compreensão sobre a formação dessas estruturas e suas respostas de transporte em semicondutores kagome antiferromagnéticos, além de fornecer base física para o desenvolvimento de dispositivos espintrônicos que empregam skyrmions em sistemas antiferromagnéticos.
Com informações de Nanowerk
