Pesquisadores do Institute of Science Tokyo, em parceria com a Canon ANELVA Corporation, desenvolveram um capacitor ferroelétrico com espessura total de apenas 30 nm, incluindo os eletrodos superior e inferior. O feito foi detalhado na revista Advanced Electronic Materials.
Quem, onde e quando
A equipe liderada pelo professor Hiroshi Funakubo, da School of Materials and Chemical Technology do Institute of Science Tokyo, contou com o doutorando Soshun Doko, o professor assistente Kazuki Okamoto e os pesquisadores Naoko Matsui, Toshikazu Irisawa e Koji Tsunekawa, todos vinculados à Canon ANELVA. Os resultados foram publicados em 30 de dezembro de 2025.
Como foi feito
O dispositivo utiliza uma estrutura de três camadas: eletrodo inferior de platina (5 nm), camada ferroelétrica de nitreto de alumínio substituído por escândio (Al0,9Sc0,1N) com 20 nm e eletrodo superior de platina (5 nm). A escolha do (Al,Sc)N deve-se à alta polarização remanescente, fundamental para manter o armazenamento de dados mesmo sem alimentação elétrica.
Resultados e importância
Apesar da forte redução de espessura, o capacitor preservou desempenho ferroelétrico robusto, requisito para aplicações em memórias de alta densidade. Segundo Funakubo, o avanço mostra que é possível “manter alta performance mesmo com redução drástica da pilha completa”.
Processo térmico
Um tratamento pós-deposição a 840 °C no eletrodo inferior de platina melhorou a orientação cristalina e favoreceu a comutação de polarização, etapa considerada essencial para dispositivos cada vez mais finos.
Imagem: Internet
Os autores acreditam que a abordagem pode estimular a miniaturização de outras arquiteturas ferroelétricas, como FeRAM e FTJ, e impulsionar o desenvolvimento de memórias embarcadas em dispositivos de Internet das Coisas.
Com informações de Nanowerk
