09 de fevereiro de 2026 – Daejeon (Coreia do Sul) – Uma equipe de pesquisadores da KAIST e da Universidade Nacional de Kyungpook capturou, pela primeira vez, o instante preciso em que materiais de memória mudam de estado elétrico ao derreter e resfriar telúrio em dispositivos nanométricos. O experimento fornece um roteiro para o desenvolvimento de semicondutores mais velozes e com menor gasto de energia.
Liderado pelo professor Joonki Suh, do Departamento de Engenharia Química e Biomolecular da KAIST, em parceria com o professor Tae-Hoon Lee, o grupo desenvolveu uma técnica que monitora em tempo real tanto o processo de comutação elétrica quanto as mudanças de fase dentro do dispositivo. Os resultados foram publicados na revista Nature Communications.
Telúrio amorfo estável em escala nanométrica
Para comprovar a comutação, os cientistas aplicaram um método de fusão instantânea seguida de resfriamento rápido (quenching). Com isso, conseguiram estabilizar o telúrio amorfo (a-Te) – estado vítreo e desordenado do elemento – em um componente menor que um fio de cabelo humano. O telúrio, normalmente sensível ao calor, ganha destaque como material-chave para memórias de próxima geração por combinar alta velocidade e eficiência energética.
Dois estágios de condução elétrica
O estudo identificou a tensão de limiar e as condições térmicas que iniciam a comutação, além dos pontos onde há perda de energia. Os pesquisadores observaram que defeitos microscópicos no telúrio amorfo são determinantes para a condução: primeiro ocorre um aumento rápido de corrente através desses defeitos; em seguida, o acúmulo de calor leva o material a fundir.
Oscilação automática sem combinação de materiais
Ao manter o telúrio em estado amorfo com corrente controlada, a equipe também demonstrou um fenômeno de auto-oscilação, no qual a tensão sobe e desce espontaneamente. O resultado confirma que a comutação estável pode ser obtida usando somente o telúrio, sem misturas complexas.
Imagem: Internet
Segundo o professor Suh, trata-se do primeiro trabalho a implementar telúrio amorfo em um dispositivo real e a esclarecer seu mecanismo de comutação, estabelecendo referência para pesquisas em memórias de nova geração.
Com informações de Nanowerk
