12 de fevereiro de 2026 – Pesquisadores do RIKEN Center for Quantum Computing demonstraram que qubits baseados em pontos quânticos de silício sofrem perturbações provocadas por pontos quânticos próximos, fator que pode elevar a taxa de erros em computadores quânticos de grande escala.
O estudo, publicado na revista Physical Review Applied sob o título “Charge-induced energy shift of a single-spin qubit under a magnetic field gradient”, mediu pela primeira vez o desvio de energia causado pela movimentação de elétrons em pontos vizinhos. Esse efeito, segundo os autores, é suficientemente intenso para comprometer a integridade das informações quânticas se não houver correção apropriada.
Como o experimento foi conduzido
A equipe liderada por Takashi Kobayashi construiu qubits de silício equipados com um micromagneto. O componente torna o elétron altamente sensível a campos elétricos, permitindo controlar o qubit com pequenas variações de tensão aplicada aos eletrodos do ponto quântico. Contudo, essa mesma sensibilidade faz com que elétrons em pontos adjacentes, ao se deslocarem pelo campo magnético do micromagneto, gerem campos elétricos que alteram a energia do qubit monitorado.
“Nossos resultados mostram à comunidade de computação quântica em silício o impacto das reconfigurações de elétrons nos circuitos”, afirmou Kobayashi. “Esse entendimento abre caminho para implementar códigos de correção de erros adequados em computadores quânticos de grande porte.”
Imagem: Internet
Próximos passos
O grupo pretende desenvolver técnicas para anular ou contornar o desvio de energia induzido por carga e, ao mesmo tempo, explorar o fenômeno como possível recurso para novas operações de qubit, o que poderia dar vantagem aos qubits de silício em relação a outras plataformas.
Com informações de Nanowerk
